Dla przykładu podajemy, że specjalna podwójna dioda-pentoda EBF 83 przy napięciu anodowym wynoszącym 6, 3 V pobiera moc 0, 02 W, podczas gdy do ogrzewania katody potrzebna jest moc 2 W, a więc 100 razy większa. Jest rzeczą oczywistą, że sprawność takiej lampy elektro-nowej jest bardzo mała, co jest szczególnie niekorzystne przy zasilaniu z baterii. Nawiasem mówiąc, w konstrukcjach tranzystorowych nie ma efektu mikrofonowania ani wpływu zewnętrznych pól magnetycznych. Ściśle mówiąc, wpływy te są nie większe od wpływów, jakie tego rodzaju pola mają na pozostałe (bierne) elementy jakiegoś urządzenia. A teraz jeszcze kilka słów o wadach tranzystorów, które są właściwie wadami tylko względnymi, ponieważ przy pomocy pewnych zabiegów można je zminimalizować. Największą wadą tranzystorów jest wrażliwość na zmiany temperatury. Wpływ temperatury na właściwości układu tranzystorowego można zmniejszyć, a nawet całkowicie usunąć stosując specjalne środki, które określa się mianem stabilizacji termicznej. Odnosi się to również do stosowania tranzystorów, których parametry w ramach tego samego typu wykazują duże zróżnicowanie między egzemplarzami (duży rozrzut parametrów)- Zastosowanie ujemnego sprzężenia zwrotnego umożliwia wykonanie takich układów, że przy wymianie tranzystorów warunki pracy stabilizują się w sposób automatyczny. Niskie napięcie zasilania tranzystorów, które stanowi ich wielką zaletę, niekiedy jest również i wadą, na przykład wtedy, gdy potrzebne są bardzo duże moce, powiedzmy rzędu kilku kilowatów. Przy zbyt niskich napięciach występują bardzo duże wartości prądu zasilania, co jest przyczyną różnych trudności. I tu należy jednak poczekać na dalszy rozwój, ponieważ już dziś znane są tranzystory normalnej produkcji o napięciu zasilania wynoszącym 250 V; istnieją również egzemplarze laboratoryjnych tranzystorów o napięciu pracy 1000 V i prądzie rzędu kilkuset amperów.